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Serviços de usinagem de precisão para fabricação de eletrônicos e semicondutores
2025-08-11
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Fornecendo componentes essenciais de alta precisão para as indústrias eletrônica e de semicondutores.
Por que escolher os serviços de usinagem de precisão da Kansd para eletrônicos e semicondutores?
A Shenzhen Kansd Technology Co., Ltd. (certificada pelas normas ISO 9001:2015 e ISO 14001) possui vasta experiência no setor de fabricação de eletrônicos e semicondutores. Dedica-se ao processamento de semicondutores e componentes eletrônicos com precisão nanométrica (±0,0005 mm). Seu escopo de negócios abrange áreas como equipamentos para fabricação de chips, embalagens de semicondutores e componentes essenciais para produtos eletrônicos. Já entregou mais de 5 milhões de peças de alta precisão, auxiliando seus clientes a aprimorar o desempenho de seus produtos e a eficiência da produção.
Principais vantagens
1. Sistema de Materiais Compatíveis
Cobertura completa de materiais: Abrange uma variedade de materiais, como wafers de silício, carboneto de silício, nitreto de gálio, liga de alumínio 6061-T6 e liga de cobre C11000, atendendo aos requisitos de diferentes dispositivos eletrônicos e semicondutores em termos de desempenho, dissipação de calor e estabilidade dimensional.
Compatibilidade estrutural: Suporta o processamento de peças estruturais complexas, como suportes de chips (tolerância de espessura ±0,01 mm) e câmaras de vácuo para equipamentos semicondutores (rugosidade superficial Ra0,2 μm).
2. Controle de Precisão em Nível de Produção em Massa
Padrões de tolerância rigorosos: A precisão de usinagem da fresadora CNC é de ±0,002 mm e a precisão de alinhamento da litografia é de ±0,0005 mm.
Calibração de planicidade: Para o processamento de wafers semicondutores, a planicidade da superfície do wafer é ≤0,0005 mm, garantindo o bom andamento da litografia, da corrosão e de outros processos durante a fabricação do chip.
3. Capacidades do Processo Compósito
Soluções de tratamento de superfície: O polimento químico-mecânico (CMP) pode atingir uma rugosidade superficial do wafer de Ra ≤ 0,01 nm; a limpeza por plasma pode remover resíduos orgânicos da superfície para garantir alta limpeza dos componentes.
Processos de Revestimento Especiais: O revestimento de nitreto de titânio (dureza HV2000) pode melhorar a resistência ao desgaste da superfície do molde; o revestimento de politetrafluoroetileno (coeficiente de atrito ≤ 0,05) é aplicado às partes móveis de equipamentos semicondutores para reduzir as perdas por atrito.
Principais áreas de aplicação
1. Equipamentos para fabricação de chips
Componentes de máquinas de litografia: suportes de montagem de lentes objetivas de projeção (precisão de posicionamento ±0,0005 mm), dispositivos de fixação de retículo (planicidade ≤ 0,001 mm).
Componentes das máquinas de corrosão: Câmaras de reação (alta resistência à corrosão, rugosidade superficial Ra0,2μm), distribuidores de gás (tolerância do diâmetro do furo ±0,001mm).
2. Embalagem de semicondutores
Materiais de embalagem: Suportes cerâmicos multicamadas (largura da linha/espaçamento entre linhas ≤ 25 μm), substratos de embalagem orgânicos (planicidade ≤ 0,02 mm).
Estruturas de ligação: Estruturas de ligação em liga de cobre (precisão de perfuração ±0,01 mm) para atender aos requisitos de encapsulamento de alta densidade.
3. Componentes Essenciais de Produtos Eletrônicos
Smartphones: Suportes do módulo da câmera (concentricidade ≤ 0,002 mm), dissipadores de calor da placa-mãe (espaçamento das aletas do dissipador de calor ±0,05 mm).
Computadores portáteis: bases de dissipadores de calor para CPU (planicidade ≤ 0,01 mm), gabinetes para unidades de estado sólido (tolerância dimensional ±0,03 mm).

Matriz de Capacidade Técnica
Indicador | Parâmetro |
Precisão de usinagem máxima | Fresagem ±0,002 mm, Alinhamento litográfico ±0,0005 mm |
Rugosidade superficial típica | Ra0,1 - 0,4μm (superfícies ultralisas podem ser personalizadas) |
Consistência na produção em lotes | CPK ≥ 1,67 (inspeção completa de 100% das dimensões críticas) |
Usinagem de Microestrutura | Largura mínima da linha/Passo entre linhas: 25 μm, Proporção de aspecto: 10:1 |
Capacidade de produção mensal padronizada | 800.000 peças de precisão; pedidos de emergência podem ser atendidos em até 2 dias. |
Processo de serviço
1. Confirmação de Requisitos: Receber desenhos/modelos 3D (em CAD/ProE e outros formatos) e fornecer análise de viabilidade de fabricação (DFM).
2. Desenvolvimento de Processos: Desenvolver um roteiro de processo e concluir o pacote de documentos PPAP (incluindo os relatórios PSW e MSA).
3. Verificação da Produção Piloto: Entregar amostras e relatórios em tamanho real (em conformidade com os padrões da indústria).
4. Gestão da Produção em Massa: Implementar o monitoramento do processo SPC e dar suporte ao fornecimento just-in-time (JIT).

Casos reconhecidos pela indústria
Projeto de Equipamentos para Fabricação de Chips: Produção em massa de suportes para lentes objetivas de projeção para um renomado fabricante nacional de equipamentos semicondutores, com precisão de ±0,0005 mm, elevando a taxa de rendimento do equipamento para 95%.
Suporte para encapsulamento de semicondutores: Suportes cerâmicos multicamadas processados para uma empresa líder em embalagens, com largura/passo de linha de 25 μm, atendendo aos requisitos de processos avançados de encapsulamento.
Módulo de câmera para smartphone: Inclui suportes para módulos de câmera de determinadas marcas de celulares, com concentricidade controlada em ±0,002 mm, melhorando efetivamente a nitidez das fotos.
Valor adicional
Garantia de Conformidade: O sistema de rastreabilidade de materiais abrange todo o processo, desde a aquisição da matéria-prima até a entrega do produto, dando suporte ao envio de relatórios de conformidade de materiais.
Entrega Colaborativa Global: Equipes próprias de importação e exportação oferecem suporte à logística internacional, desembaraço aduaneiro e respondem rapidamente às necessidades de clientes globais.
Desenvolvimento Técnico Colaborativo: Otimizamos em conjunto com os clientes o processo de dissipação de calor das peças estruturais do chip de radiofrequência (RF) da estação base 5G, melhorando significativamente a eficiência da dissipação de calor.
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